PMOS管是一种基本的金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。它的主要特点是流过它的电流是正电流。其工作原理主要包括场效应和PN结反向击穿两个方面。

PMOS管的场效应是指当PMOS管的栅极施加正电压时，PMOS管的栅极和源极之间的电场会导致N型沟道中的电子向源极漂移，从而形成电流。此时PMOS管处于导通状态。当施加负电压或零电压时，所有电子将返回栅极，PMOS管进入截止状态。

PN结的反向击穿也是PMOS管工作原理的一个重要方面。 PN结是指由P型半导体和N型半导体组成的结，其两端分别为阳极和阴极。当PMOS管的栅极施加反向电压时，PN结区的电子受电场影响向P型半导体区漂移，同时与P型半导体区的空穴复合。型半导体形成反向电流。当反向电压增大到一定程度时，PN结中就会发生电子击穿。此时反向电流急剧增大，导致PMOS管被毁坏。

PMOS管是一种基于场效应和PN结反向击穿的半导体器件。其主要特点是流过它的电流为正电流。在电路设计中，PMOS管广泛应用于信号放大、功率开关、时序控制、电荷耦合等方面，已成为现代电子技术中不可缺少的重要器件之一。