半导体材料一直是现代电子技术不可或缺的一部分。半导体电阻率的测量是半导体材料研究中非常重要的参数。因此，科学家们一直致力于开发新型半导体电阻率测量装置，以满足半导体材料研究日益增长的需求。

近年来，国外研究团队开发出一种新型半导体电阻率测量装置。该装置具有精度高、速度快、非接触、重复性好等优点，可以在更广泛的应用领域实现半导体电阻率的精确测量。

该装置基于霍尔效应原理，通过测量电子在磁场中的偏转方向和偏转角度来计算半导体电阻率。与传统的半导体电阻率测量方法相比，该装置具有更高的测量精度和重复性，可以有效减少人为因素和环境因素造成的误差。

此外，该装置还具有非接触式测量的优点，可以大大提高测量效率和精度。在半导体材料的研究中，通常需要进行大量的电阻率测量。传统的接触式测量方法往往需要多次测量才能保证测量精度，并且容易受到样品表面状态和接触力的影响。非接触式测量方法可以避免上述问题，使测量结果更加稳定可靠。

此外，该装置还可以测量半导体在不同温度下的电阻率，这对半导体材料的研究具有重要意义。半导体材料的电阻率通常随温度变化。了解不同温度下电阻率的变化可以更好地研究半导体材料的性能和特性。

总之，国外研制的这种半导体电阻率测量装置具有精度高、速度快、非接触、重复性好的优点，可以为半导体材料研究提供更加准确、稳定、可靠的测量方法。随着半导体材料的应用范围不断扩大，该装置将在半导体材料研究领域发挥重要作用。